強光檢查燈185le在半導體行業的運用

發布日期：2022-12-07      瀏覽次數：265

強光檢查燈185le在半導體行業的運用

半(ban)導體(ti)(ti)產業(ye)作為(wei)現代科技的(de)(de)(de)支撐，正日益迅猛發展。然而，半(ban)導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)制造(zao)(zao)需(xu)要極其(qi)復(fu)雜(za)的(de)(de)(de)工(gong)序(xu)，隱藏其(qi)微小表(biao)面之下的(de)(de)(de)是(shi)數百個(ge)步(bu)驟的(de)(de)(de)精密交織。任(ren)何細小的(de)(de)(de)缺陷，都(dou)將最終影響芯片(pian)性能和功能。因此，在制造(zao)(zao)過(guo)程(cheng)的(de)(de)(de)關鍵節點上建立精確的(de)(de)(de)計量和檢查(cha)過(guo)程(cheng)對于確保良率至關重要。
無論(lun)是從監控硅晶(jing)錠成形時的(de)直(zhi)徑，到晶(jing)圓平邊(bian)探測(ce)與(yu)晶(jing)圓刻號(Wafer ID)讀取(qu)，還(huan)是在封裝制程中檢(jian)測(ce)打線接合(he)、晶(jing)粒品質、及(ji)雷(lei)射蓋印等半導體(ti)晶(jing)圓生產檢(jian)測(ce)與(yu)測(ce)量環節中，強光燈檢(jian)查技術都能(neng)提(ti)供強有力(li)支(zhi)持，快速協(xie)助(zhu)這些制程提(ti)高產能(neng)與(yu)良率(lv)，并降低生產成本(ben)。

在集(ji)成(cheng)電(dian)路制(zhi)造中，對晶粒表(biao)面的(de)缺(que)陷進(jin)行檢(jian)測(ce)至關重要，如裂紋、碎片和燒痕等，這些缺(que)陷可(ke)能影響晶粒的(de)質量(liang)和性能。這些缺(que)陷的(de)性質多(duo)變，位(wei)置各(ge)異，基于規則的(de)機器(qi)視(shi)覺難以準確檢(jian)測(ce)。同時，還(huan)需要避免標記(ji)對芯片質量(liang)不造成(cheng)影響的(de)微(wei)小畸變，以提高(gao)效率。考慮到芯片尺(chi)寸各(ge)異且數(shu)量(liang)眾多(duo)，傳統的(de)人工(gong)檢(jian)測(ce)方法低效且不切實際，還(huan)可(ke)能引入無塵(chen)室的(de)污染。

185le強光檢查燈可(ke)以識(shi)別晶粒表面上各種(zhong)不可(ke)接受的外觀(guan)缺陷，這些缺陷對于基(ji)于規則的視覺檢測系統而言過(guo)于復雜或(huo)耗時。該工具(ju)檢查(cha)晶粒的表面，以檢測是(shi)否有裂紋、碎(sui)片或(huo)燒(shao)痕。






主要型號(hao)：高照度表面檢查燈185LE/185FI/185LE-AL/370TFI/R/100LE




高照(zhao)度(du)照(zhao)明設備(表面檢查(cha)燈(deng)) 185LE-AL是目視檢查(cha)晶圓、鏡頭、玻璃(li)基板的表面等為目的的光源。

適合于TFT面板、CF(彩(cai)色濾光片)，觸摸屏制造等行業(ye)。

規格參數：

大照度(du)	照射距離 310mm、 照射直(zhi)徑(jing)徑(jing) 55mmφ 時照度(du)在 400,000 Lux以(yi)上）
光(guang)源	直流(liu)點燈 17V/185W 鹵素燈
照度調整(zheng)	連續(xu)可(ke)調(diao)至大照(zhao)度的 20%
冷卻(que)方式	強制空冷
使用溫度范囲	0 ～ 40℃
電源(yuan)電圧	AC 95V ～ AC 260V, 50/60Hz
功率	250W
尺寸	光(guang)源	136mm H × 112mm W × 150mm D
	電源	229mm H × 90mm W × 250mm D
重量	光源	1.2kg
	電源	3.6kg