tekhne在半導體制造行業用的設備運用分析

發布日期：2022-07-18      瀏覽次數：651

tekhne在半導體制造行業用的設備運用分析

半導體是半導體集成電路的縮寫。 它是一種物質，既具有導電性良好的“導體"，又具有不導電性不多的“絕緣體"的特性。
此外，由晶體(ti)管（控制電流的元(yuan)件）和使用半導體(ti)的二極管等電子元(yuan)件組成的電路(lu)(lu)有時稱為IC（集成電路(lu)(lu)集成電路(lu)(lu)）。 如果您想象導體(ti)是(shi)鐵等金屬，而絕緣層是(shi)橡膠，可能會更容易(yi)理解。

半導體的結構

如上所述，半導體具有導電的“導體"材料和不導電的“絕緣體"物質之間的特性。 “導體"、“絕緣體"和“半導體"之間的區別是技術術語中“禁止帶隙"能量范圍的差異。 從電子占據的最高能帶“（價帶）"， 能量帶到低能帶“（傳導帶）"下端之間的空間稱為禁帶，價帶與導帶之間的能帶稱為禁帶。 作為沒有禁令的一個例子， 其中包括金屬系統。 許多金屬容易導電，即電子很容易移動。 相反，大型禁止帶的例子包括陶瓷、橡膠和玻璃。 因為電子不能移動， 它們中的許多不允許電流流動，被稱為絕緣體。
另一方面，當半導體的禁止帶比金屬寬且小于絕緣體時，電流通過向電子施加能量（例如熱量和電壓）來流動。 因此，通過有意將雜質與半導體本身混合，可以改變電子和（原子）空位的流動，也可以控制電性能。 敢于添加的雜質 這將半導體分為n型和p型。

n型半導體：通過在元素周期表中的IV族元素（硅，鍺Ge等）中加入微量的V族（磷P，砷As，銻Sb等）制成的本征半導體（僅由硅Si組成的半導體）。 當加入V族時，V族價電子中的一個剩余電子可以自由移動（自由電子）。 自由電子帶負電荷，通過移動，電阻降低并施加能量。 + 通過被吸引到兩極，電流流動，并且出現半導體的特性。
P型半導體：本征半導體是通過在元素周期表中的IV族元素（硅，鍺Ge等）中添加微量的III族元素（硼B，銦In等）制成的。 當向IV族加入少量III族時，缺少一個電子，缺失的空穴稱為空穴。 當在這種狀態下施加電壓時，附近的電子移動到這個空穴。 此外，電子的轉移會導致在其他地方形成空穴。 通過這種重復，電子似乎穩定地向極側移動。 因此，當施加能量時，它被吸引到+極，并且電流流動，揭示了其作為半導體的特性。

n型(xing)(xing)半導體(ti)和p型(xing)(xing)半導體(ti)的(de)結(jie)點僅(jin)具有在(zai)一定方(fang)向(xiang)上傳遞電流(liu)的(de)功能。 由于鍵(jian)合(he)，n型(xing)(xing)半導體(ti)的(de)自由電子(zi)和p型(xing)(xing)半導體(ti)的(de)空穴(xue)相互吸引，在(zai)結(jie)表面鍵(jian)合(he)，然(ran)后(hou)消失。 換句話(hua)說，電子(zi)不(bu)再存在(zai)于結(jie)面，并且狀(zhuang)(zhuang)態與(yu)絕緣體(ti)的(de)狀(zhuang)(zhuang)態相同。 這(zhe)些電子(zi)不(bu)再存在(zai)的(de)層(ceng)稱為(wei)耗盡層(ceng)。 在(zai)絕緣體(ti)的(de)這(zhe)種狀(zhuang)(zhuang)態下，當電極連(lian)接到(dao)n型(xing)(xing)半導體(ti)側并且+極連(lian)接到(dao)p型(xing)(xing)半導體(ti)側并施加電壓(ya)時，電子(zi)從n型(xing)(xing)流(liu)向(xiang)P型(xing)(xing)。



TK-100
在線露點儀

德(de)軒測量暢(chang)銷書

• 電容(rong)的

• ±2°Cdp

• 本地

• -100~+20°Cdp

  
  



EE060/061

低價型

• 空調和農業通(tong)用溫(wen)濕(shi)度(du)計

• 本(ben)地(di)

• 探頭類型

• 適用溫度-40~+80°C

  
  

半導體制(zhi)造工(gong)藝

由于半導(dao)體非常精確，因此(ci)有許多制造工藝。 該過(guo)程(cheng)大致分為兩(liang)部分，稱(cheng)為“前端(duan)(duan)(duan)過(guo)程(cheng)"和“后(hou)端(duan)(duan)(duan)過(guo)程(cheng)"。 如果想到半導(dao)體結構完(wan)成之前的前端(duan)(duan)(duan)工藝，而后(hou)處理直到最終的半導(dao)體產品完(wan)成，可能會更容(rong)易理解。

前(qian)端流(liu)程

1）電路和圖案設計 首先，我們設計
制造什么樣的半導體，即電路圖案。 由于所需的電路模式因半導體的應用而異，因此設計每次也會發生變化。 由于模式復雜，似乎重復并完成操作測試。

2） 光掩模創建 創建一個掩模，用于在
半導體襯底上轉移步驟1）中設計的電路。 到目前為止，它是使用計算機的案頭工作。

3）硅錠切割半導體的基礎
是硅單晶。 首先，在保持單晶的同時將液態硅拉出以產生硅錠。 然后用線鋸將硅錠切成薄片，制成圓盤狀晶圓。 由于硅錠是圓形的，而半導體通常是方形的，因此一個晶圓可以獲得的平方數直接影響生產效率。 截至 2022 年，通常有超過 300 毫米和 450 毫米或更多。

4）拋光硅片
硅片表面不平整，因此需要平滑。 為了使其光滑，使用研磨材料和拋光墊使其成為鏡面。 這就是 Techne 的露點儀和氧氣計的用武之地。 當晶圓在拋光后被氧化時，它成為一個干擾因素，因此需要確認氧氣濃度低。

5）硅片的氧化
從這里開始，制造半導體的層壓過程開始。 在每個過程中，必要的過程重復多次以制造產品。 氧化硅是一種絕緣層，即不導電的層，因此當需要絕緣層時，它在高溫下被氧化以形成厚厚的氧化膜。

6）薄膜形成 在
硅片的表面上，有一個附著薄膜的過程，薄膜是電路的材料。 薄膜有幾種方法，但目前實際使用的方法有兩種。 為了去除水分和氧氣，在真空中進行處理或用惰性氣體（如氮氣（N2）或氬氣（Ar））代替。 如果可以在真空中處理，則首先處于無物的狀態，因此很有可能不存在水分和氧氣等雜質，因此優先選擇。
以下工藝是典型的真空工藝。
CVD（化學氣相沉積）法：利用待稀釋材料的氣體通過化學反應附著薄膜的方法 濺射法：使用薄膜形成材料的方法，該材料通過放電使材料電離，然后將其與硅片表面碰撞以附著薄膜

7）光刻膠應用 應用所謂的光刻膠，對光發生反應
并抵抗9的蝕刻）。 這允許您僅刻錄所需的電路模式。

8）照射
曝光光，僅將暴露在光線下的區域的光刻膠膜改變并轉移到硅片表面。 可以說，這個過程需要精細的技術。 然后，將其浸入顯影劑中，僅溶解硅晶片的裸露部分。 其余部分的光刻膠膜為9的蝕刻掩模）。

9）蝕刻 這是用溶液刮
掉氧化膜和薄膜的過程。 光刻膠殘留的部分不會被刮擦。 蝕刻類型包括使用溶液的濕法蝕刻和使用氣體的干法蝕刻。

10）抗剝離和清潔
剩余的光刻膠通過與化學品和氣體的化學反應剝離。 如果在最后進行清潔，則創建預期的電路。

11）離子注入 通過添加通過熱處理活
化的雜質離子，可以改變半導體的特性。

12） 硅片平滑 由于可能會施加
薄膜或硅片本身可能不均勻，因此請重新拋光。 7）光刻膠涂層~12）通過重復該過程直到硅片平滑， 制作所需的電路。

13） 電極形成
將金屬嵌入硅片中。

14） 晶圓缺陷檢測 一種
稱為探針臺的直立檢測裝置用于測試每塊硅晶圓，以確保其具有最初設計的功能。






MBW373

高精度

• 鏡(jing)子

• ±0.1°Cdp

• 本地(di)

• -100~+20°Cdp

• ~+95°Cdp

• ~+140°Cdp



型號 201/2001LC

低成本機型

• 
  

半導體制造不可(ke)少的潔(jie)凈室

我們周圍(wei)的(de)(de)空氣(qi)(qi)(qi)乍一看(kan)似乎很干(gan)凈(jing)(jing)，但實(shi)際上有(you)微小的(de)(de)垃圾，看(kan)不見(jian)的(de)(de)病(bing)毒和細菌。 當在(zai)這樣的(de)(de)環境(jing)中(zhong)(zhong)進行(xing)半導(dao)體(ti)制造時(shi)，半導(dao)體(ti)首(shou)先具有(you)微觀結構(gou)，因(yin)此即使電路之間粘附有(you)細小灰塵，不良產品的(de)(de)可(ke)能(neng)性也會顯著增(zeng)加。 它(ta)不是(shi)半導(dao)體(ti)，但是(shi)如果(guo)你(ni)做手術(shu)，如果(guo)手術(shu)室(shi)在(zai)這樣的(de)(de)環境(jing)中(zhong)(zhong)，你(ni)可(ke)能(neng)會擔心(xin)傳(chuan)染(ran)病(bing)，對吧？ 在(zai)這種情(qing)況(kuang)下(xia)，創建了符合最高衛生標(biao)準的(de)(de)潔(jie)(jie)凈(jing)(jing)室(shi)。 潔(jie)(jie)凈(jing)(jing)室(shi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)空氣(qi)(qi)(qi)通過(guo)高性能(neng)過(guo)濾(lv)器充滿清(qing)潔(jie)(jie)空氣(qi)(qi)(qi)，沒有(you)碎屑。 潔(jie)(jie)凈(jing)(jing)室(shi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)設置高于外部(bu)。 這是(shi)為(wei)了在(zai)潔(jie)(jie)凈(jing)(jing)室(shi)中(zhong)(zhong)保持(chi)正壓(ya)，使臟空氣(qi)(qi)(qi)在(zai)進出(chu)時(shi)不會從(cong)外部(bu)進入。 直到2011年，根(gen)據美(mei)國(guo)聯(lian)邦標(biao)準209E清(qing)潔(jie)(jie)度等級(ji)，潔(jie)(jie)凈(jing)(jing)室(shi)的(de)(de)清(qing)潔(jie)(jie)度標(biao)準被(bei)稱為(wei)100級(ji)或1000級(ji)。 目(mu)前(qian)，根(gen)據ISO的(de)(de)規定(ding)，每立方(fang)米1.0μ或以上的(de)(de)粉塵顆粒數為(wei)1~1級(ji)。 此外，Techne Measurement還(huan)有(you)一個屬于9級(ji)的(de)(de)潔(jie)(jie)凈(jing)(jing)室(shi)。

半(ban)導體開發/制造、潔凈室露點儀(yi)、血(xue)氧(yang)儀(yi)、溫濕度計、風速計

在半導體開發和制造過程中，去除顆粒、水分和氧氣等干擾因素是一個主要問題。 為了確認消除干擾，我們的露點儀、溫濕度計和血氧儀用于半導體制造、運輸和檢查等各種過程。 還用于除濕空氣（干燥空氣）的除濕，以及測量和控制氮氣、氬氣、氦氣、氫氣等的氣體純度。 相反，有些過程需要大量的水分， 在此過程中，使用露點計來確保恒定的水分含量。 主要使用以下產品。


水分測量(liang)

（1） 將水分含量控制在極少量（ppb ~ 100 位 ppm）的工藝 ? TK-100電容露點儀（氧化鋁型），
可測量低至-60°C露點 （660） 以痕量（ppm）控制水分含量的工藝 TE-95 露點儀（聚合物型）

低露點可達
?-99°C （060）最重要的工藝，MBW鏡面冷卻型（鏡面型）露點儀，可測量高達
?-33°C~+<>°C露點
（<>）需要相對濕度水平控制的過程潔凈室
?簡易EE<>
（<>）需要大量的水分， 需要管理恒定水分含量的過程 EE<>溫濕度計，在防止冷凝的環境中采取措施，主要用于測量
高溫和高濕度?

氧氣濃度(du)測量(liang)

（1）需要通過氫氣替代等去除氧氣的工藝 2001LC原電池血氧儀，可確認
?4100ppm以下
（<>） 需要在無氫氣的情況下測量痕量氧濃度的過程 <>型氧化鋯血氧儀能夠測量低至
?ppb水平

風(feng)速測(ce)量

（1） 在潔凈室和制造設備
中，氣體流動很重要的過程 ?能夠測量微風的風速計

主要產品



TK-100在線露點(dian)儀(yi)

德軒測量暢銷書

• 電容的

• ±2°Cdp

• 本地

• -100~+20°Cdp



TE-660露點(dian)變(bian)送器

聚(ju)合物露點儀(yi)

• 聚合物配方

• ±2°Cdp

• 本(ben)地(di)

• -60~+20°Cdp



MBW373

高精度

• 鏡子

• ±0.1°Cdp

• 本地

• -100~+20°Cdp

• ~+95°Cdp

• ~+140°Cdp



型號 201/2001LC

低成本機型(xing)



EE33

高濕(shi)度、惡劣環境(jing)溫濕(shi)度計

• 工業溫濕度露點儀

• 本地

• ~+95°Cdp

• 適用(yong)溫度-40~+180°C

• 防(fang)結露加熱功能



EE060/061

低(di)價(jia)型

• 空調和農(nong)業(ye)通用(yong)溫濕度計(ji)

• 本地

• 探頭類型(xing)

• 適用溫度-40~+80°C