半導體型壓力傳感器結構及操作說明

半導體型壓力傳感器結構及操作說明



傳感器芯片的結構

硅片受壓部（硅膜片）與通常的IC制造工序一樣，通過雜質擴散形成硅規。
當對硅片施加壓力時，儀表電阻會根據撓度而變化，并轉換為電信號。（壓阻效應）
該量規的特點是量規系數大。（金屬量規是2-3，而硅量規是幾個10-100）。
結果，可以獲得高輸出，使得可以制造厚膜片，這提高了壓力傳感器的耐壓性。

目標型號

半導體型壓力傳感器
VDP4、VSW2（低壓用）等

半導體膜片式壓力傳感器的結構和操作說明

半導體膜片壓力傳感器由與被測介質直接接觸的高耐腐蝕性金屬膜片（相當于哈氏合金C-22、SUS316L等）和檢測壓力的硅片（硅膜片）構成通過封閉的硅油。），采用雙隔膜系統。
SUS316L隔膜（或相當于哈氏合金C-22）通過壓力入口直接與測量介質接觸，可以穩定測量未浸入其中的介質（空氣、水、油等）。[連接螺紋為 G3/8 時，使用 O 型圈（氟橡膠）密封管道。] ]

特征

• 我們可以制造可以測量正壓、負壓、復合壓和絕壓的各種傳感器元件。

• 與介質直接接觸的受壓部分材質相當于哈氏合金C-22，可采用SUS316L制造，耐腐蝕性能優異。

• 由于檢測壓力的硅芯片的厚隔膜，具有出色的耐壓性

目標型號

半導體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等。